為什么SiC在高頻下的表現(xiàn)優(yōu)于IGBT？[ 12-20 14:39 ]

在大功率應(yīng)用中，過去主要使用IGBT和雙極晶體管，目的是降低高擊穿電壓下出現(xiàn)的導通電阻。然而，這些設(shè)備提供了顯著的開關(guān)損耗，導致發(fā)熱問題限制了它們在高頻下的使用。使用碳化硅可以制造肖特基勢壘二極管和MOSFET等器件，實現(xiàn)高電壓、低導通電阻和快速運行。

為什么碳化硅能承受這么高的電壓？[ 12-20 14:35 ]

功率器件，尤其是MOSFET，必須能夠處理極高的電壓。由于電場的介電擊穿強度比硅高約十倍，SiC可以達到非常高的擊穿電壓，從600V到幾千伏。SiC可以使用比硅更高的摻雜濃度，并且漂移層可以做得非常薄。漂移層越薄，其電阻越低。理論上，給定高電壓，單位面積漂移層的電阻可以降低到硅的1/300。

為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si？[ 12-20 14:32 ]

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。 盡管是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導體，但硅開始顯示出一些局限性，尤其是在高功率應(yīng)用中。這些應(yīng)用中的一個相關(guān)因素是半導體提供的帶隙或能隙。當帶隙很高時，它使用的電子設(shè)備可以更小、運行得更快、更可靠。它還可

碳化硅在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？[ 12-20 14:28 ]

碳化硅是一種非常適合電力應(yīng)用的半導體，這主要歸功于它能夠承受高電壓，比硅可使用的電壓高十倍。 基于碳化硅的半導體具有更高的熱導率、更高的電子遷移率和更低的功率損耗。 碳化硅二極管和晶體管還可以在更高的頻率和溫度下工作，而不會影響可靠性。 SiC器件的主要應(yīng)用，例如肖特基二極管和FET/MOSFET晶體管，包括轉(zhuǎn)換器、逆變器、電源、電池充電器和電機控制系統(tǒng)。

金蒙新材料納米碳化硅特點？[ 08-29 08:34 ]

  金蒙新材料生產(chǎn)的納米碳化硅微粉GCW0.5產(chǎn)品主要用于無壓燒結(jié)碳化硅陶瓷原材料，主要采用濕式研磨的生產(chǎn)工藝，具有純度高、粒度分布窄、流動性好、穩(wěn)定性強等優(yōu)點，生產(chǎn)的產(chǎn)品密度高、高硬度耐磨、耐腐蝕等特點，廣泛應(yīng)用于密封件、防彈裝備、碳化硅3D手機背板玻璃熱彎模具、加熱板、軸套、航天、航空、核工業(yè)、石油、化工、機械汽車、船舶、泵閥、新能源及科研國防軍事等領(lǐng)域。     納米碳化硅特點：比表面積大，高表面活性，松裝密度低，具有高硬度，高耐磨性和良好的自潤滑，高熱傳導率，低