2014年中國光伏業(yè)發(fā)展趨勢預(yù)測[ 03-31 15:33 ]

有人擔(dān)心,中國光伏業(yè)的脆弱復(fù)蘇可能會因國際市場上的“圍追堵截”戛然而止。然而,潛力巨大的國內(nèi)大市場、有利于光伏業(yè)發(fā)展的政策大環(huán)境、以及全球新能源發(fā)展的大趨勢,意味著中國光伏業(yè)經(jīng)過艱難寒冬后必將迎來春天。

光伏產(chǎn)業(yè)上游現(xiàn)量價(jià)回升復(fù)蘇景象[ 03-11 17:28 ]

據(jù)報(bào)道，位于光伏中上游的光伏組件和多晶硅產(chǎn)業(yè)，在很長一段時間由于產(chǎn)能過剩飽受質(zhì)疑。前兩年行業(yè)蕭條時，因沒有訂單或售價(jià)低于成本，甚至一些光伏上游企業(yè)被迫停工。而去年下半年以來，隨著光伏電站的建設(shè)迎來熱潮，光伏行業(yè)明顯回暖，上游產(chǎn)業(yè)鏈也正在走出“冰封期”，開始出現(xiàn)量價(jià)回升的復(fù)蘇景象。

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析[ 02-23 17:32 ]

  在過去的十五到二十年中，碳化硅電力電子器件領(lǐng)域取得了令人矚目的成就，所研發(fā)的碳化硅器件的性能指標(biāo)遠(yuǎn)超當(dāng)前硅基器件，并且成功實(shí)現(xiàn)了部分碳化硅器件的產(chǎn)業(yè)化，在一些重要的能源領(lǐng)域開始逐步取代硅基電力電子器件，并初步展現(xiàn)出其巨大的潛力。碳化硅電力電子器件的持續(xù)進(jìn)步將對電力電子技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展起到革命性的推動作用。隨著SiC單晶和外延材料技術(shù)的進(jìn)步，各種類型的SiC器件被開發(fā)出來。SiC器件主要包括二極管和開關(guān)管。SiC二極管主要包括肖特基勢壘二極管及其新型結(jié)構(gòu)和PiN型二極管。SiC開關(guān)管的種類較多，具有代表性

山東金蒙碳化硅冶煉爐良好的透氣性的重要性[ 07-02 10:18 ]

山東金蒙碳化硅合成過程是一個復(fù)雜的過程，特別是在冶煉的中后期，是有液相和氣相參與的反應(yīng)。因此提高壓力并不表現(xiàn)出積極作用，甚至?xí)沟闷浞?。所以冶煉爐應(yīng)該要有良好的透氣性。如果爐體和爐料透氣性太差，爐內(nèi)會形成很高的正壓。這種壓力會大大降低爐內(nèi)反應(yīng)動力，使反應(yīng)能力減小，反應(yīng)速度下降。從而影響冶煉爐的產(chǎn)量和產(chǎn)品的質(zhì)量。爐內(nèi)的正壓高，會使?fàn)t芯溫度不正常迅速升高，爐料的區(qū)間溫差梯度加大，會造成冶煉爐中心部位有分解溫度，外層無再結(jié)晶溫度，阻礙了反應(yīng)向正方向發(fā)展。當(dāng)爐內(nèi)壓力升到一定數(shù)值后，將會使碳化硅晶筒形成多硅結(jié)晶或富硅性熔體。

碳化硅光學(xué)材料拋光試驗(yàn)[ 04-24 11:05 ]

研究了三種典型的碳化硅光學(xué)材料CVD SiC、HP SiC以及RB SiC的材料去除機(jī)理與可拋光性，并對其進(jìn)行了超光滑拋光試驗(yàn)。在分析各種材料制備方法與材料特性的基礎(chǔ)上，通過選擇合理的拋光工藝參數(shù)，均獲得了表面粗糙度優(yōu)于Rq=2nm（采樣面積為0.71mm×0.53mm）的超光滑表面。試驗(yàn)結(jié)果表明：研磨過程中，三種碳化硅光學(xué)材料均以脆性斷裂的方式去除材料，加工表面存在著裂紋以及材料脫落留下的缺陷;拋光過程中，CVD SiC主要以塑性劃痕的方式去除材料，決定表面粗糙度的主要因素為表面微觀劃痕的深度；HP