碳化硅晶圓的生產(chǎn)，是先要制備碳化硅襯底，目前其制備多采用改進Lely法、高溫CVD法和溶液法，其中以改進Lely法為主流。

Lely法，又稱升華法，其基本原理是：在空心圓筒狀石墨坩堝中（最外層石墨坩堝，內(nèi)置多孔石墨環(huán)），將具有工業(yè)級純度的碳化硅粉料投入坩堝與多孔石墨環(huán)之間加熱到2500℃，碳化硅在此溫度下分解與升華，產(chǎn)生一系列氣相物質(zhì)比如硅單晶、Si2C和SiC2等。由于坩堝內(nèi)壁與多孔石墨環(huán)之間存在溫度梯度，這些氣相物質(zhì)在多孔石墨環(huán)內(nèi)壁隨機生成晶核。但Lely法產(chǎn)率低，晶核難以控制，而且會形成不同結(jié)構(gòu)，尺寸也有限制。

隨著研究的深入，研究者提出了改進Lely法，也稱為物理氣相傳輸(PVT)法，在Lely法的基礎(chǔ)上進行改進，將升華生長爐中引入籽晶，設(shè)計合適的溫度梯度以控制SiC源到籽晶的物質(zhì)運輸，可以控制控制晶核和晶向，這種方法可以獲得更大直徑和較低擴展缺陷密度的SiC晶體。隨著生長工藝的不斷改進，采用該方法已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的公司有美國的Cree、Dowcorning、Ⅱ-Ⅵ，德國的SiCrystal，日本的NipponSteel，中國的山東天岳、天科合達等。

在PVT法中，影響SiC晶體合成的因素有很多，其中SiC粉體作為合成原料會直接影響SiC單晶的生長質(zhì)量和電學(xué)性質(zhì)。因此，近年來制備高純的SiC粉體逐漸成為SiC單晶生長領(lǐng)域的研究熱點。目前行業(yè)內(nèi)合成SiC粉體的方法主要有三種：第一種是固相法，固相法中最具代表性的是Acheson法和自蔓延高溫合成法；第二種是液相法，液相法中最具代表性的是溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法；第三種是氣相法，氣相法中最具代表性的是化學(xué)氣相沉積法、等離子體法。