碳化硅（SIC）被半導體界公認為“一種未來的材料”，是新世紀有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽w材料。預計在今后5～10年將會快速發(fā)展和有顯著成果出現(xiàn)。促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅（SI）材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。

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