旋流器常用的耐磨材料[ 04-11 14:59 ]

碳化硅具有比氧化鋁高的硬度、耐磨性的特點(diǎn)，并且碳化硅的燒制方法與氧化鋁相似。因碳化硅易被氧化生成SiO2，故必須在真空或在還原氣氛下繞結(jié)。碳化硅的燒結(jié)溫度一般在1800℃以上，成本高，限制了其在重介質(zhì)旋流器上的應(yīng)用。

認(rèn)識(shí)晶須之王——碳化硅晶須[ 04-01 15:38 ]

 

碳化硅陶瓷的主要應(yīng)用[ 09-03 08:48 ]

   近年以來高性能碳化硅陶瓷的研究與應(yīng)用一直備受關(guān)注。碳化硅陶瓷作為現(xiàn)代工程陶瓷之一，由于其硬度僅次于金剛石，具有熱膨脹系數(shù)小、熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性好、耐磨性能高、在高溫下仍具有良好力學(xué)性能和抗氧化性能等突出的物理化學(xué)性質(zhì)，同時(shí)，SiC還具有低的中子活性、良好的耐輻照損傷能力和高溫結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，成為極具發(fā)展前景的結(jié)構(gòu)陶瓷。因此被廣泛應(yīng)用于石油化工、冶金機(jī)械、微電子器件和航空航天等領(lǐng)域。   SiC陶瓷的應(yīng)用領(lǐng)域

高純碳化硅微量元素測定啟用新國標(biāo)[ 09-02 12:43 ]

  據(jù)中國粉體網(wǎng)發(fā)布相關(guān)消息獲悉：2019年9月1日起，高純碳化硅微量元素的測定啟用新國標(biāo)（GB/T37254-2018）。     高純碳化硅微量元素的測定（GB/T37254-2018）規(guī)定了采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-OES）法和電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）法測定高純碳化硅中微量元素含量的方法。     本標(biāo)準(zhǔn)適用于碳化硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量大于或等于99.9%的高純碳化硅材料中鋁、砷、鈣、鉻、銅、鐵、汞、鉀、鎂、錳、鈉、鎳、鉛、硫、鈦、

碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)勢和應(yīng)用[ 08-30 16:44 ]

  碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性?？梢杂行Ы档头聪蚵╇娏?，具備更好的耐高壓能力。另一個(gè)重要的特點(diǎn)是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數(shù)，隨著溫度的上升電阻也逐漸上升，這與硅FRD正好相反。這使得碳化硅肖特基二極管非常適合并聯(lián)實(shí)用，增加了系統(tǒng)的安全性和可靠性。在器件從正向?qū)ㄏ蚍聪蜃钄噢D(zhuǎn)換時(shí)，幾乎沒有反向恢復(fù)電流，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A的碳化