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金蒙淺談碳化硅是怎么形成的?

文章出處:原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯:劉坤尚作者:王春萌人氣:-發(fā)表時(shí)間:2015-01-11 15:22:00【

  碳化硅的特點(diǎn)有很多,但是具體我們了解的并不是很多,金蒙新材幫大家來(lái)總結(jié)一下。

  碳化硅的形成主要有兩種結(jié)晶形態(tài):b-SiC和a-SiC。

  1.b-SiC為面心立方閃鋅礦型結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)a=0.4359nm。

  2.a-SiC是SiC的高溫型結(jié)構(gòu),屬六方晶系,它存在著許多變體。

  另外自然界中機(jī)會(huì)沒有天然的碳化硅,一般都是通過高溫冶煉形成的。在實(shí)際生產(chǎn)過程中,碳化硅的冶煉介紹:

  1.約從1700℃開始,硅質(zhì)原料由砂粒變?yōu)槿垠w,進(jìn)而變?yōu)檎羝?白煙);SiO2熔體和蒸汽鉆進(jìn)碳質(zhì)材料的氣孔,滲入碳的顆粒,發(fā)生生成Sic的反應(yīng);

  2.溫度升高至1700~1900℃時(shí),生成b-SiC;溫度進(jìn)一步升高至1900~2000℃時(shí),細(xì)小的b-SiC轉(zhuǎn)變?yōu)閍-SiC,a-SiC晶粒逐漸長(zhǎng)大和密實(shí);爐溫再升至2500℃左右,SiC開始分解變?yōu)楣枵羝褪?/span>

  當(dāng)冶煉溫度達(dá)到一定程度時(shí),我們都可以從冶煉爐中看到最內(nèi)層的碳化硅是含量最高的,最高可以達(dá)到99%,越往外碳化硅的含量就越低。

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