SiCMOSFET與其硅對應(yīng)物一樣，具有內(nèi)部體二極管。體二極管提供的主要限制之一是不希望的反向恢復(fù)行為，當(dāng)二極管關(guān)斷同時承載正正向電流時會發(fā)生這種情況。因此，反向恢復(fù)時間(trr)成為定義MOSFET特性的重要指標(biāo)。圖2顯示了1000V基于Si的MOSFET和基于SiC的MOSFET的trr之間的比較?？梢钥闯觯琒iCMOSFET的體二極管非?？欤簍rr和Irr的值小到可以忽略不計，能量損失Err大大降低。