目前全球半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展正處于變革升級(jí)的重要節(jié)點(diǎn)。隨著基于硅的制程工藝日漸逼近所謂物理極限，基于砷化鎵，以及碳化硅和氮化鎵的第二、三代半導(dǎo)體技術(shù)正蓬勃興起。

  其中，以碳化硅材料作為第三代半導(dǎo)體原料，是目前半導(dǎo)體界公認(rèn)的一種具有較高開發(fā)潛力的新式半導(dǎo)體材料，屬于典型寬禁帶半導(dǎo)體，與其他材料相比具有很多優(yōu)秀的物理特性。

  碳化硅與硅、砷化鎵、氮化鎵等其他半導(dǎo)體材料相比更具有以下優(yōu)點(diǎn)：1、碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。2、碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場(chǎng)而具有高的擊穿電壓。3、碳化硅具有高熱導(dǎo)率。4、碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600℃的報(bào)道，而硅器件的最大工作溫度僅為150℃。5、碳化硅具有很高的抗輻照能力。6、碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時(shí)間的變化很小，可靠性好。7、碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性，反向恢復(fù)電流小，開關(guān)損耗小。