近日，中電化合物半導體有限公司和浙江大學材料科學與工程學院成立聯(lián)合培養(yǎng)實踐基地。

旨在加強產(chǎn)學研合作，聚焦碳化硅和氮化鎵材料，培養(yǎng)兼具豐富理論知識和實踐能力的高層次材料工程人才。

中電化合物以此為契機，加大人才引進力度，以創(chuàng)新為抓手，持續(xù)研發(fā)投入，打造公司的核心競爭力。

中電化合物公司是由中國電子下屬的華大半導體投資的一家做碳化硅SiC晶體、襯底、外延片和GaN外延片產(chǎn)品的專業(yè)化寬禁帶半導體材料制造企業(yè)。

2019年，中電化合物半導體項目落戶在寧波杭州灣新區(qū)，是浙江省首個第三代半導體項目，總投資10.5億元，規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)7萬片6吋SiC同質(zhì)外延片生產(chǎn)線，和年產(chǎn)1萬片GaN外延片生產(chǎn)線；包含SiC晶體生長、襯底加工、外延生長、材料檢測工序。

2021年12月，中電化合物宣布中標寧波市重大科技任務(wù)攻關(guān)暨揭榜掛帥項目，聯(lián)合寧波比亞迪半導體有限公司和中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所，共同建設(shè)“車規(guī)級MOS器件用大尺寸SiC材料研發(fā)、驗證及產(chǎn)業(yè)化”項目。

目前，中電化合物的碳化硅年產(chǎn)能已達2萬片，未來3年將達到8萬片，已向客戶提供了650V/1200V/1700V系列SiC外延片和GaN外延片等產(chǎn)品。