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碳化硅襯底領(lǐng)域國產(chǎn)替代成效顯著

文章出處:半導(dǎo)體材料與工藝設(shè)備網(wǎng)責(zé)任編輯:作者:MRC人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-09-17 15:03:00【

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一,其技術(shù)發(fā)展也至關(guān)重要。雖然國內(nèi)碳化硅的技術(shù)水平與國外有所差距,但國內(nèi)企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底領(lǐng)域均已實(shí)現(xiàn)部分國產(chǎn)替代,8英寸晶圓也在研制過程中,國產(chǎn)替代進(jìn)程講持續(xù)突破。

碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測試四個(gè)部分,分別占市場總成本的50%、25%、20%、5%,由于具備晶體生長過程繁瑣,晶圓切割困難等特點(diǎn),碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質(zhì)量襯底的應(yīng)用主要集中于WolfSpeed、II-VI、ROHM三大供應(yīng)商,CR3市場占有率達(dá)到80%以上,國內(nèi)廠商為代表的襯底廠商的產(chǎn)品良率、品質(zhì)和生產(chǎn)效率還有一定差距,碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求,當(dāng)前碳化硅襯底已應(yīng)用于射頻器件及功率器件,隨著下游需求爆發(fā),2022-2026年SiC器件的市場規(guī)模將從43億美元提升到89億美元,年復(fù)合增長率為20%。

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