碳化硅陶瓷凝膠注模成型工藝[ 08-19 10:18 ]

凝膠注成型工藝是制備碳化硅陶瓷部件的基礎(chǔ)，該工藝是一種精細的膠態(tài)成型工藝(Colloidalprocessing)，可實現(xiàn)大尺寸、復(fù)雜結(jié)構(gòu)坯體的高強度、高均勻性、近凈尺寸成型，陶瓷料漿制備是凝膠注模成型工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。 就碳化硅在光刻機構(gòu)件中的應(yīng)用而言，分散良好、高穩(wěn)定性水基碳/碳化硅料漿的制備是獲得優(yōu)質(zhì)、均勻結(jié)構(gòu)碳/碳化硅坯體的前提。此外，料漿具有高的固相體積分?jǐn)?shù)則可以有效減小陶瓷坯體干燥時的收縮，有利于實現(xiàn)陶瓷部件的近凈尺寸成型。相應(yīng)地，陶瓷料漿的制備需要解決兩大難題：一是碳和碳化硅兩種陶瓷粉料在相

集成電路制造裝備用精密陶瓷結(jié)構(gòu)件的特點[ 08-18 16:52 ]

集成電路制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備主要有包括光刻技術(shù)及光刻裝備、薄膜生長技術(shù)及裝備、化學(xué)機械拋光技術(shù)及裝備、高密度后封裝技術(shù)及裝備等，均涉及高效率、高精度、高穩(wěn)定性的運動控制技術(shù)和驅(qū)動技術(shù)，對結(jié)構(gòu)件的精度和結(jié)構(gòu)材料的性能提出了極高的要求。 以光刻機中工件臺為例，該工件臺主要負(fù)責(zé)完成曝光運動，要求實現(xiàn)高速、大行程、六自由度的納米級超精密運動，如對于100nm分辨率、套刻精度為33nm和線寬為10nm的光刻機，其工件臺定位精度要求達到10nm，掩模硅片同時步進和掃描速度分別達到150nm/s和120nm/s，掩模掃描速度

固相燒結(jié)碳化娃(SSiC)優(yōu)缺點[ 08-16 14:41 ]

固相燒結(jié)碳化硅晶界較為“干凈”，高溫強度并不隨溫度的升高而變化，一般在溫度達1600℃強度不發(fā)生變化。固相燒結(jié)碳化硅主要缺點是需較高的燒結(jié)溫度(>2000℃)，對原材料的純度要求高，燒結(jié)體斷裂韌性較低，有較強的裂紋強度敏感性，在結(jié)構(gòu)上表現(xiàn)為晶粒粗大且均勻性差，斷裂模式為典型的穿晶斷裂。 SSiC材質(zhì)的泵的軸、滑動和密封環(huán)具有長使用壽命的多項優(yōu)勢。在高工作溫度下也具有出色的耐化學(xué)性和耐腐蝕性。因此，SSiC是所有需要高耐磨性的領(lǐng)域的最佳陶瓷材料。京瓷可提供定制最大外徑達560毫米的大型精

如何實現(xiàn)碳化硅晶圓的高效低損傷拋光？[ 08-15 17:33 ]

SiC晶型結(jié)構(gòu)特點使得SiC材料具有較高硬度與化學(xué)穩(wěn)定性，導(dǎo)致在拋光過程中材料去除率較低，因此探索基于化學(xué)機械拋光基本工藝的輔助增效手段，對于實現(xiàn)SiC材料產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用和推廣具有重要的意義。 化學(xué)機械拋光輔助增效技術(shù)材料去除機理本質(zhì)是通過輔助增效技術(shù)手段來控制SiC表面較軟氧化層的形成并從力學(xué)上改善SiC氧化層材料的去除方式。目前拋光中的輔助增效手段主要有等離子輔助、催化劑輔助、紫外光輔助和電場輔助。 01等離子輔助工藝 等離子輔助拋光(PlasmaAssistedPolishing，PAP)工藝是

一張圖：碳化硅這樣提純，能行嗎？[ 07-15 15:40 ]