由于Si與C雙原子層堆積序列的差異會(huì)導(dǎo)致不同的晶體結(jié)構(gòu)，SiC有著超過200種（目前已知）同質(zhì)多型族。

其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC（碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能）。

最常用的多型是：

4H-SiC——功率集成電路應(yīng)用

6H-SiC——射頻應(yīng)用

在不同的晶面上生長(zhǎng)不同的晶錠多型體：

4H-SiC——在碳(C)面晶種上生長(zhǎng)

6H-SiC——在硅(Si)面晶種上生長(zhǎng)

與硅相比，SiC的多型性使SiC的外延生長(zhǎng)和襯底制備更加復(fù)雜。