碳化硅在自然界幾乎不存在，工業(yè)上應用的碳化硅是一種人造材料。工業(yè)方法生產碳化硅，通常是由SiO­2粉和碳粉在高溫下還原反應生成。碳化硅分子式為SiC，碳化硅是典型的共價鍵結合的化合物，它有α和β兩種晶型，即立方型和六方型。立方型稱為β—SiC，它是在1800℃—2000℃形成，屬低溫產物，主要用于微型軸承的超精研磨。六方型稱為α—SiC，它是在2000℃以上形成的。碳化硅在一個大氣壓下的分解溫度為2400℃，無熔點。α—SiC的理論密度是3.18g/cm3，其莫氏硬度在9.2—9.3之間，顯微硬度3300kg/cm2。
碳化硅耐高溫，與強酸、強堿均不起反應，導電導熱性好，具有很強的抗輻射能力。用碳化硅粉直接升華法可制得大體積和大面積碳化硅單晶。用碳化硅單晶可生產綠色或藍色發(fā)光二極管、場效應晶體管，雙極型晶體管。用碳化硅纖維可制成雷達吸波材料，在軍事工業(yè)中前景廣闊。碳化硅超精細微粉是生產碳化硅陶瓷的理想材料。碳化硅陶瓷具有優(yōu)良的常溫力學性能，如高的抗彎強度，優(yōu)良的抗氧化性，耐腐蝕性，非常高的抗磨損以及低的磨擦系數(shù)，而且高溫力學性能（強度、抗蠕變性等）是已知陶瓷材料中最好的材料，如晶須補強可改善碳化硅的韌性和強度。