Soitec發(fā)布8英寸SiC襯底，拓展碳化硅產品組合[ 05-12 15:30 ]

據中國粉體網訊 Soitec近日發(fā)布了其首款200mm碳化硅SmartSiC™晶圓。這標志著Soitec公司的碳化硅產品組合已拓展至150mm以上，其SmartSiC™晶圓的研發(fā)水準再創(chuàng)新高，可滿足汽車市場不斷增長的需求。 首批200mmSmartSiC™襯底誕生于Soitec與CEA-Leti合作的襯底創(chuàng)新中心的先進試驗線，該中心位于格勒諾布爾。該批200mmSmartSiC襯底將會在關鍵客戶中進行首輪驗證，展示其質量及性能。 Soitec于2022年3月

中泰恒創(chuàng)攜手中匯環(huán)球投入100億美元開展碳化硅項目[ 05-11 16:26 ]

近日，中泰恒創(chuàng)科技有限公司與中匯環(huán)球集團有限公司就“拓展碳化硅SiC芯片市場”項目舉行簽約儀式。此次中泰恒創(chuàng)與中匯環(huán)球的合作主要聚焦于共同拓展碳化硅SiC芯片市場方向。 據悉，中匯環(huán)球為中泰恒創(chuàng)提供100億美元以上自主融合國際主權財富基金的參與和支持，主要支持中泰恒創(chuàng)在開發(fā)生產IGBT、SBD/MOSFET、BMS/PCS等新型產品，以及建立創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)產業(yè)園。 目前，中泰恒創(chuàng)已落地施行的半導體項目可分為三個階段，第一階段收益預計100億元，第二階段預計580億元，到第三階段完成，整

中科院物理研究所成功制備單一晶型8英寸SiC晶體[ 05-10 12:22 ]

近期，中科院物理研究所在寬禁帶半導體領域取得重要進展，研人員通過優(yōu)化生長工藝，進一步解決了多型相變問題，持續(xù)改善晶體結晶質量，成功生長出單一4H晶型的8英寸SiC晶體。 SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環(huán)節(jié)形成，襯底在SiC器件成本中占比高達約45%。進一步擴大SiC襯底尺寸，在單個襯底上增加器件的數(shù)量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優(yōu)勢。8英寸SiC晶體生長的難點在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻、氣相原料分布和輸運效率問題；另外

SiC單晶技術研發(fā)歷史[ 05-06 16:22 ]

Si和SiC作為半導體材料幾乎同時被提出，但由于SiC生長技術的復雜和缺陷、多型現(xiàn)象的存在，其發(fā)展曾一度被擱淺。SiC的發(fā)展歷經了多個重要階段。第一個階段是結構基本性質和生長技術的探索階段，時間跨度從1924年發(fā)現(xiàn)SiC結構至1955年Lely法的提出。第二階段是物理基本性質研究和英寸級別單晶生長的技術積累階段。在此階段物理氣相傳輸(PVT)生長方法基本確定、摻雜半絕緣技術被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC襯底材料。從1994年以后，隨著國際上半導體照明及2英寸SiC單晶

關于取消召開2022年春季全國磨料磨具行業(yè)信息交流會的通知[ 05-05 17:07 ]