晶盛機(jī)電成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體[ 08-26 17:05 ]

8月12日消息，經(jīng)過晶體實驗室研發(fā)團(tuán)隊半年多的技術(shù)攻關(guān)，晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，標(biāo)志著晶盛第三代半導(dǎo)體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時代，同時這也是晶盛在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得的又一標(biāo)志性成果。 據(jù)了解，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。 在技術(shù)上，晶盛成功解決了8英寸晶體生長過程中多個難點(diǎn)問題，比如溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等等。 此外，還破解了SiC器件成本中襯底占比過高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛

哈爾濱科友半導(dǎo)體6英寸碳化硅襯底正式投產(chǎn)[ 08-25 11:37 ]

據(jù)粉體圈消息：8月18日，位于哈爾濱新區(qū)，投資10億元建設(shè)的科友第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項目一期正式投產(chǎn)，預(yù)計年底全部達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)能10萬片6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)能力。 據(jù)悉，哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司（科友半導(dǎo)體）成立于2018年，是一家專注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設(shè)計、技術(shù)轉(zhuǎn)移和科研成果轉(zhuǎn)化的國家級高新技術(shù)企業(yè)。去年7月，科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項目正式開工建設(shè)。主要建設(shè)中俄第三代半導(dǎo)體研究院、中外聯(lián)合技術(shù)創(chuàng)新中心、科友半導(dǎo)體襯底制備中心、科友半導(dǎo)體高端裝備制造中心、國際

士蘭微啟動6吋（150mm）SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目[ 08-24 10:28 ]

據(jù)粉體圈消息：7月30日，杭州士蘭微電子股份有限公司發(fā)布對外投資進(jìn)展公告，將啟動化合物半導(dǎo)體第二期建設(shè)，即實施“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目”，擬建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，項目總投資為15億元，建設(shè)周期3年，最終形成年產(chǎn)14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能（主要產(chǎn)品為SiCMOSFET、SiCSBD）。 2017年12月，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司簽署了《關(guān)于化合物半導(dǎo)體項目之投資合作協(xié)議》，雙方共同投資設(shè)立了廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司（士蘭明鎵），在廈門

集成電路制造裝備用精密陶瓷結(jié)構(gòu)件制備難點(diǎn)[ 08-17 14:46 ]

在IC產(chǎn)業(yè)中，集成電路制造裝備具有極其重要的戰(zhàn)略地位，以光刻機(jī)為代表的集成電路關(guān)鍵裝備是現(xiàn)代技術(shù)高度集成的產(chǎn)物，其設(shè)計和制造過程均能體現(xiàn)出包括材料科學(xué)與工程、機(jī)械加工等在內(nèi)的諸多相關(guān)科學(xué)領(lǐng)域的最高水平。集成電路制造關(guān)鍵裝備要求零部件材料具有輕質(zhì)高強(qiáng)、高導(dǎo)熱系數(shù)和低熱膨脹系數(shù)等特點(diǎn)，且致密均勻無缺陷，還要求零部件具有極高的尺寸精度和尺寸穩(wěn)定性，以保證設(shè)備實現(xiàn)超精密運(yùn)動和控制，因此對材料性能以及制造水平要求非?？量獭? 碳化硅陶瓷具有高的彈性模量和比剛度，不易變形，并且具有較高的導(dǎo)熱系數(shù)和低的熱膨脹系數(shù)，熱穩(wěn)定性高

天岳先進(jìn)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底獲14億訂單[ 08-12 14:25 ]

粉體圈消息：近期，天岳先進(jìn)發(fā)布公告，公司簽署了時長三年(2023-2025)的6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品銷售合同，據(jù)測算，預(yù)計含稅銷售三年合計金額為人民幣13.93億元。但對于簽約客戶名稱和具體情況，天岳先進(jìn)本次并未披露。 去年12月30日，天岳先進(jìn)首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市，據(jù)招股說明書，擬募集資金20億元主要用于碳化硅半導(dǎo)體材料項目，該項目主要用于生產(chǎn)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底材料，計劃于2026年達(dá)產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后將新增碳化硅襯底材料產(chǎn)能約30萬片/年。 今年6月，天岳先進(jìn)在投資者互動平臺表示，他們已成